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PG电子官方网站 | 博客见解

2026-01-05

【导语】据台积电官方消息，其2nm（N2）技术按计划将于2025年四季度量产，采用第一代纳米片晶体管技术，较N3E工艺在性能与功耗上全节点显著提升，还新增SHPMIM电容器，智能设备或迎性能革命。

据台积电官方介绍，台积电2nm（N2）技术已按计划于2025年第四季度投入量产，其N2技术采用了第一代纳米片晶体管（nanosheettransistor）技术。

与已经非常优秀的N3E工艺相比，N2技术在性能与功耗方面实现了全节点的显著提升。

在同样功耗下，性能（速度）提升10%–15%。

在同样速度下，功耗降低25%–30%。

此外，N2还在供电网络中增加了超高性能金属-绝缘体-金属(Super-High-Performance Metal-Insulator-Metal,SHPMIM)电容器。

这意味着我们手中的智能手机、驱动AI世界的庞大算力、以及未来一切智能设(shè)备(bèi)，都(dōu)即(jí)将(jiāng)迎(yíng)来(lái)一(yī)场(chǎng)性(xìng)能(néng)革命。