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倒反天罡:DRAM 内存颗粒价格已明显超越同容量模组价格

PG电子官方网站 | 博客见解

2025-11-13

【导(dǎo)语(yǔ)】11 月(yuè) 12 日(rì)消(xiāo)息(xi),TrendForce 集邦(bāng)咨(zī)询(xún)称(chēng),极(jí)度(dù)罕(hǎn)见(jiàn)市(shì)场(chǎng)环(huán)境(jìng)下(xià),DRAM 内(nèi)存(cún)颗(kē)粒(lì)报(bào)价(jià)超(chāo)相(xiāng)同(tóng)容(róng)量(liàng)内(nèi)存(cún)条(tiáo)且(qiě)价(jià)差(chà)大(dà),DDR4 与(yǔ) DDR5 价(jià)格(gé)上(shàng)扬(yáng)但(dàn)成(chéng)交(jiāo)量(liàng)低(dī);NAND 闪存晶圆现货市场升温,价格涨幅及报价频率大增,成交量有限但价格持续上扬,机构对二者未来短期走势各有预期 。

倒反天罡:DRAM 内存颗粒价格已明显超越同容量模组价格

  11 月 12 日消息,TrendForce 集邦咨询表示,在极度罕见的市场环境下,DRAM 内存颗粒 (Die) 的报价已经超越(yuè)相(xiāng)同(tóng)容(róng)量(liàng)的(de)内(nèi)存(cún)条(tiáo)(模(mó)组(zǔ),Module)报(bào)价(jià)且(qiě)价(jià)差(chà)巨(jù)大(dà)

  过(guò)去(qù)七(qī)天(tiān),DRAM 内(nèi)存(cún)市(shì)场(chǎng)在(zài)惜(xī)售(shòu)心(xīn)态(tài)浓(nóng)厚(hòu)的(de)氛(fēn)围(wéi)下(xià),DDR4 与(yǔ) DDR5 的(de)价(jià)格(gé)延(yán)续(xù)先(xiān)前(qián)数(shù)周(zhōu)的(de)上(shàng)扬(yáng)走(zǒu)势(shì),但(dàn)由(yóu)于(yú)市(shì)场(chǎng)中(zhōng)的(de)供(gōng)应(yīng)量非常有限,因此成交量处于低水位。

  机构预计,未来短期内现货市场的模组价格将快速上升,收敛与颗粒间的价差。主流颗粒 DDR4 1Gx8 3200MT/s 在本周的价格涨幅为 7.10%,由 11.071 美元上涨至 11.857 美元。

  而在 NAND 闪存晶圆部分,受合约市场强势拉动,现货市场氛围进一步升温,价格上涨幅度及报价频率均显著增加。由于中小型买家难以直接获得原厂货源,现货市场采购的需求明显增温。然而,现货供应同样相对稀缺,持货商普遍看好后市走势,延后出货、惜售情绪浓厚,导致成交量有限但价格持续上扬。

  本周 512Gb TLC 晶圆现货价格上涨 17.07%,单价达 6.455 美元。机构预期短期内现货市场仍将维持紧俏格局,价格上行动能有望延续至明年一季度;但如果合约价涨幅过快或终端需求延后,现货热度可能于 2026 年初略有降温。


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