【导语】据日经(jīng)亚(yà)洲(zhōu)报(bào)道(dào)，软(ruǎn)银(yín)与英特尔正联手开发一种全新AI专用内存芯片，该芯片耗电量预计大幅降低，为日本构建节能高效的AI基础设施带来突破。新成立的公司Saimemory负责设计，目标是在21世纪20年代实现商业化，总投资预计达100亿日元。软银期望这款芯片能优化其AI训练数据中心，满足日益增长的高性能数据处理需求。

　　据日经亚洲 3报道，软银正携手英特尔开发一种全新 AI 专用内存芯片，其耗电量有望大幅低于当前芯片，为日本构建节能高效的 AI 基础设施奠定基础。

　　双方计划设计一种新型堆叠式 DRAM 芯片，采用不同于现有高带宽内存（HBM）的布线方式，预期将电力消耗减少约一半。

　　负责该项目的是新成立的公司 Saimemory，所用技术来自英特尔，并结合(hé)东(dōng)京(jīng)大(dà)学等日本高校的专利成果。Saimemory 将专注于芯片设计与专利管理，制造交由外部代工厂负责。

　　项目目标是在两年内完成原型，再评估是否投入量产，争取在 21 世纪 20 年代实现商业化，整体投资预计达 100 亿日元（IT之家注：现汇率约合 5 亿元人民币）。

　　软银为主要投资方，出资 30 亿日元（现汇率约合 1.5 亿元人民币），日本理化学研究所与神港精机也在考虑资金或技术上的参与。此外，项目方也计划申请政府支持。

　　软银希望将这款新型存储器用于其 AI 训练数据中心。随着 AI 在企业管理等高阶领域应用的深入，对高性能、高效率数据处理能力的需求不断提升，而这种芯片将有望以更低成本构建高质量的数据中心。