（文/王一 编辑/吕栋）
看着中国存储产业突破，韩媒又坐不住了。
韩国《朝鲜日报》近日爆料称，中国存储芯片制造商长鑫存储生产HBM3（高带宽存储）时的良率只有25%，相当于造四个芯片要报废三个，远低于行业平均良率。
话锋一转，该韩媒又开始夸赞本国企业，称SK海力士早在2022年就实现HBM3量产，如今同类产品良率已经超过90%。
话里话外，韩媒还是想说中国存储产业不行，跟韩国差得远。
单纯讨论技术其实无可厚非。
韩媒在报道中提到，HBM并不是简单把几块DRAM芯片摞在一起。为了让多层芯片能够高速交换数据，需要在经过极度减薄的DRAM芯片上加工出数千个微小孔洞，再填入铜材料，形成贯穿硅片的垂直电气连接，这也是所谓的硅通孔（TSV）技术。晶圆最薄时只有几十微米，任何一个孔的位置出现偏差，或者铜填充不充分，都可能让整个芯片报废。
SK海力士HBM4韩联社
这是一项极具挑战性的工艺，在中国遭到出口管制的背景下，长鑫存储难免会遇到困难。
但韩媒就此大作文章进行拉踩，唱衰中国存储产业，字里行间透露着“着急”。
近些年，以长鑫为代表的中国存储产业正在快速突破。在DRAM领域，长鑫LPDDR6全球率先实现量产，并且全球首次落地商用；而在制造固态硬盘的闪存芯片领域，长江存储也已经在向300层以上进发，扩充产能，持续打破国外企业对这一领域的长期垄断。
中国突破存储技术，不是想跟谁较劲，而是为了自身的产业链安全。
2026年开年，DRAM（内存）和NAND Flash（闪存）价格双双创下近十年新高，部分型号累计涨幅甚至超过300%。
表面看是周期波动，实则是一记警钟：当存储的“喉咙”被别人卡住，整个中国消费电子产业都得跟着喘气。
全球半导体产业的高度分工决定了开放合作是主流。但从技术自主和产业安全的角度看，把关键核心技术掌握在自己手里，是完全必要的，也是完全正当的。
韩媒发文极力唱衰，不是第一次了，明显是格局小了。
要知道半导体工厂是保密程度极高的场所，韩媒报道中却有详细的工艺和良率数据，其提到“长鑫每颗HBM芯片大约搭载3000个TSV（硅通孔）”“前道工艺良率约为30%”“远低于三星、SK海力士”等，这些信息应该不是简单的“知情人士”就能获得的。
长鑫还没有指责韩媒窃取数据，韩国自己却先开始对中国“设防”了。
这个周末起，韩国一条新修订的相关法律将正式施行。根据修法，向任何“外国或与其相当的组织”提供敏感技术的人员，最高可面临30年监禁。产业技术泄露也由过去更多被视为企业层面的利益损失，被进一步提升到了国家安全的高度。
美国彭博社11日称，虽然修订后的法律并未直接点名中国，但在中国存储芯片产业快速追赶的背景下，韩国强化半导体技术保护显然无法回避中国因素。
韩国产业通商部长官金正官8月还感慨：“中国的发展速度超乎想象，这就是为什么我感到强烈的紧迫感。”
韩国的紧张并不难理解。
AI算力需求爆发，正在把HBM推向全球半导体产业的核心位置。对于韩国而言，三星和SK海力士掌握的存储芯片优势，不仅关系到两家企业的利润，更关系到韩国最重要的出口产业之一。
一旦别国企业突破，韩国过去在存储领域建立起来的技术和市场优势，就势必受到冲击。
但就像前面说的，中国拥有庞大的消费电子和AI算力产业，存储的技术话语权一直掌握在别人手里，对中国产业链安全本身就是威胁，所以中国企业突围完全是正当的。
十年来，中国存储的突围并没有走投机取巧的捷径，而是早就开始搭建专利护城河。
以长鑫为例，2019年该公司通过一家加拿大专利公司，从已经破产多年的德国存储芯片巨头奇梦达获得约6200项存储芯片专利实施许可，同时获得约2.8TB技术文档。
长鑫产品资料图
奇梦达曾是欧洲存储产业的重要企业，后来在与三星等厂商的激烈竞争中退出市场，但其积累的存储技术和专利依然具有价值。
买下专利后，长鑫开始在消化既有技术的同时，逐步构建自己的知识产权体系，从芯片架构、制造工艺，到封装、测试等环节进行全链条布局。
十年过去，无论是长鑫存储还是长江存储，都已成为中国科技自立自强的代表。
数据显示，2023年，长鑫国际专利申请公开数量位居全球第22位；2024年，其美国专利授权数量位居全球第42位，在中国企业中排名第四。Counterpoint Research数据显示，2026年第二季度，长鑫在全球DRAM市场的份额已经达到10%。
不可否认，长鑫作为后来者，与三星、SK海力士相比仍有一定差距，高端产品的良率、工艺成熟度和产业生态都需要继续提升。这些都是客观存在的短板，没有必要回避。
但技术追赶本来就不是一夜之间完成的，京东方和华星光电等面板企业也是例子。未来，还会有更多中国企业从“追赶者”变成“竞争者”，到那时，韩媒可能也就慢慢习惯了。